emmi obirch差異
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雷射光束電阻異常偵測(OBIRCH)
https://www.istgroup.com
... (Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡稱OBIRCH)，以雷射光在IC表面進行掃描，在IC功能測試期間，OBIRCH ... Thermal EMMI(InSb) · IC電路修改/點針墊偵錯 · ESD ...
EMMI和OBIRCH傻傻分不清？
https://zhuanlan.zhihu.com
微光显微镜（EMMI）和光诱导电阻变化（OBIRCH）常见集成在一个检测系统，合称PEM（Photo Emission Microscope），两者互为补充，能够很好的应对绝大 ...
电性热点定位分析InGaAs，OBIRCH，EMMI有什么区别？
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电性热点定位分析InGaAs，OBIRCH，EMMI有什么区别？ · 一、InGaAs: 1.捉Defect 的时间,比CCD 短5 ~ 10 倍. · 二、OBIRCH: 利用激光束在器件表面扫描，激光束 ...
電性故障分析( EFA )
https://www.matek.com
InGaAs EMMI 與傳統EMMI (Si CCD) 的偵測原理一樣是偵測電子-電洞結合與熱載子所激發出的光子，但由於兩者光子偵測器的材料不同(InGaAs 及Si)，偵測的波長範圍也就不 ...
電性故障分析(EFA)
https://www.matek.com
IR-OBIRCH 的全名為InfraRed Optical Beam Induced Resistance Change，顧名思義為雷射光束引生的電阻變化異常檢驗，其原理是利用波長為1340nm 的雷射掃描IC，造成掃描 ...
【IC器件失效點定位方式的應用：光子激發與熱輻射偵測】蔚 ...
http://www.vesp-tech.com
IC器件通電後產生電流，在異常缺陷的位置電流會和正常狀況下有差異 ... (OBIRCH)在於下一篇文章做介紹。 光子激發的偵 ... 圖1：傳統的Si-CCD EMMI和InGaAs EMMI可偵測的波長 ...
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)
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差別在於InGaAs可偵測的波長較長，範圍約在900nm到1700nm之間，等同於紅外線的波長區(EMMI則是在350nm-1100nm)。 靠這招速找寬能隙GaN晶片異常點 ...
LED漏電位置定位之方法
https://yzchiou.pixnet.net
Obirch與Emmi都適合用來偵測LED的漏電位置，在 ... EMMI從一般商用的CCD種類劃分又可以分為Cooled CCD、MCT、InGaAs三種，基本上差異在偵測波長的不同。
半導體晶圓的物理分析
https://www.thermofisher.com
OBIRCH（光束感應電阻變化）是一種技術，其中電性設備通過脈衝雷射局部加熱，並且 ... (EMMI, OBIRCH, LVx). 鎖定基於熱圖像的故障隔離, Elite (LIT) 工具. SPM 及SEM 奈米 ...